基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现

1 NAND FLASH NAND写回速度快、芯片面积小,特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元,一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH),多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同,通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单,就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小,不同存储器中的块、页大小可能不同,块…

ARM Nor Flash 与 Nand Flash 的区别

 Nor Flash 与 Nand Flash的区别 ARM开发板的启动方式通常有两种,一种是Nor Flash,另一种是Nand Flash,简述二者的区别: Nand Flash容量大,类似于硬盘,但CPU需要按照特定的时序来对Nand Flash进行读写操作,因此,CPU无法对Nand Flash中的数据进行直接寻址。 CPU对Nand Flash中的数据的读写是通过专门的Nand Flash控制器来进行的。   Nor Flash 容量小,对Nor Fla…

NorFlash、NandFlash、eMMC区别

快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。 与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原…